Samsung estrena discos duros y lo hace a lo grande. La compañía de origen coreano acaba de anunciar la producción en masa de los nuevos discos duros SSD con tecnología V-NAND. Se trata, concretamente, de su nuevo Disco de Estado Dólido (SSD) de 250GB SATAIII,que lleva integrada la sexta generación de 256 gigabits V-NAND.
El disco duro llega tan solo 13 meses después de haber lanzado la anterior generación de V-NAND. ¿Qué pretendía con ello? Pues reducir el ciclo de producción en masa para garantizar que valores tan importantes en este caso como son el rendimiento, la eficiencia energética y la productividad a la hora de fabricar sean los más altos del mercado en el seno de esta compañía. El plazo, en este caso, se ha reducido hasta cuatro meses.
Aumentar la velocidad y la eficiencia energética
Celestino García, Vicepresidente corporativo de Samsung Electronics en España, ha explicado el por qué de esta tecnología y todas las bondades de los nuevos discos duros. Este cuenta que la compañía ha llevado la tecnología de vanguardia 3D a la producción en masa, lo que ha permitido añadir capacidades que han aumentado de manera significativa el potencial de estos discos duros. Es la manera de garantizar que tienen la más alta eficiencia energética y que son capaces de alcanzar una mayor velocidad.
Y ha añadido, por otra parte, que el hecho de acelerar los ciclos de desarrollo de los procesadores V-NAND de próxima generación, Samsung tendrá la oportunidad de desplegar las soluciones que tienen previstas basar en V-NAND de 512 GB de alta velocidad.
Una memoria 3D con más de 100 capas
Pero veamos cómo son estos discos duros de sexta generación V-NAND que ha dado a conocer Samsung. Según ha explicado la compañía, estos son los equipos que más velocidad de transferencia pueden proporcionar. ¿Y para qué sirve esta tecnología?, te preguntarás.
Pues bien, con estos discos duros se puede incrementar en un 40% el número de celdas contenidas en la estructura anterior, que tiene una única capa de 9 celdas. Para construirlos se ha usado una pila de moldes que conducen electricidad con una arquitectura de 136 capas. Esto se consigue perforando agujeros cilíndricos y creando células uniformes de captura de carga flash en 3D (CTF).
Pero para obtener una solución viable, Samsung ha tenido que mejorar lo presente, teniendo en cuenta que, cuantos más moldes se apilan en cada área de celda, más vulnerables tienden a volverse los chips flash NAND. Esto es lo que produce errores y latencias de lectura. Uno de los objetivos de la coreana era, pues, deshacerse de esta limitación.
Para conseguirlo se ha trabajado sobre la base de un diseño de circuito de velocidad optimizado. Gracias a esta nueva construcción se ha aumentado la velocidad de transferencia de datos hasta 450 microsegundos a la hora de ejecutar operaciones de escritura y a 45 microsegundos en las lecturas.
Lo que se ha logrado a través de estas mejoras es incrementar el rendimiento de los discos duros actuales hasta un 10% y reducir el consumo energético un 15%, comparado con la anterior generación de la misma Samsung. Esto garantizará el uso de soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas, con la enorme ventaja de que no quedará comprometido en ningún momento su rendimiento.
Asimismo, se ha simplificado el proceso de fabricación, lo que también ha aumentado la productividad. Las mejoras, gracias a la consecución de este nuevo reto, se verán aplicadas en los dispositivos móviles de próxima generación, en los servidores empresariales y en el mercado automotriz.
Después de haber presentado el disco duro SSD de 250 GB, el fabricante tiene previsto dar a conocer memorias SSD V-NAND de 3 bits en capacidad de 512 GB y eUFS. Pero eso será durante la segunda mitad de 2019.
